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近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院王佩剑研究员在电子材料领域国际知名期刊AdvancedElectronicMaterials发表了题为TowardsWafer-ScaleProductionofTwo-DimensionalTransitionMetalChalcogenides的综述文章，成本系统全面地总结了晶圆级二维过渡金属硫族化物材料的最新进展。近三年来在ACSNano,NanoLett.,Appl.Phys.Rev.,Nat.Comm.,Adv.Mater.,Chem.Sci.等国际权威期刊发表论文12篇(8篇中科院一区)，发挥其中第一作者/共同一作7篇，申请2项专利。

前沿交叉研究组隶属于先进半导体研究院半导体材料研究室，好排主要研究方向是二维材料和宽禁带半导体前沿交叉方向及两者形成异质结在紫外光电探测上的应用，好排并且和研究室内其他方向上展开合作。头兵半导体产业的发展由于尺寸缩小遇到的量子效应瓶颈而急切地呼唤下一代的电子材料。随即，作用作者分析了晶圆级生长的各种调控因素，例如晶畴尺寸、表面形貌、层数、相结构等，并分别分析和提出了调控的策略

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